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潮州代写环境突发事件应急预案 中化膜产业生产基地和膜研发创新中心项目
点击数:2011  更新时间:2021/12/8 

潮州代写环境突发事件应急预案 中化膜产业生产基地和膜研发创新中心项目

 

3)丰富公司功率半导体产品线,提升公司核心竞争力

公司在功率半导体领域有着清晰的技术路线和产品路线。目前产品线以硅基功率器件为主,包括肖特基二极管、超级结MOSFET、快恢复二极管、SGT-MOSFET等。公司以硅基功率器件为基本盘,积极布局第三代半导体相关产品,满足功率器件往更高的功率密度、更高的封装密度方向发展,有助于丰富公司功率半导体产品线,进一步提升公司在功率半导体产业的核心竞争力。

3、项目建设的可行性

1)国家政策大力支持第三代半导体产业发展

近年来,国家大力支持第三代半导体产业发展,国家及各部委、各地方陆续发布针对第三代半导体产业发展的支持政策。国家政策的大力支持,将有力地推动我国第三代半导体产业的发展,为本项目实施提供了良好的政策环境。

2)碳化硅功率器件市场持续快速增长

碳化硅的市场应用领域偏向1000V以上的中高电压范围,具有耐高压、耐高温、高频三大优势,比硅更薄、更轻、更小巧。碳化硅功率器件市场目前处于产业化的起步阶段,但市场规模正在快速扩张。现阶段,限制碳化硅功率器件推广的主要因素包括碳化硅原材料成本高、产业链成熟度有待提升、下游应用有待进一步开发。伴随国内外碳化硅产业链日趋成熟,规模和技术不断提升,成本持续下降,下游新的应用不断开发,碳化硅即将迎来爆发式增长。根据IHS统计数据,2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元,受新能源汽车庞大需求的驱动,以及光伏、风能和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元。

3)碳化硅功率器件已初具国产化供应链基础

在国家的大力支持和国内先行企业的不断探索下,我国碳化硅功率器件已初具国产化供应链基础,为碳化硅功率器件进一步国产化和供应链自主可控奠定了较好的产业链基础。

4)公司拥有相关的技术储备,并已对碳化硅工艺平台完成了初步验证

公司控股子公司及其研发团队长期从事硅基功率半导体及第三代半导体功率器件的研发及产业化工作,拥有丰富的技术储备,前期已与合作晶圆代工厂对碳化硅工艺平台进行了初步验证,为后续进行试生产和量产奠定了良好的基础,对本项目的顺利实施提供了技术保障。

无锡代写高端沟槽型肖特基二极管生产线项目可行性研究报告

2、项目建设的必要性

1)新能源蓬勃发展带动上游功率半导体器件需求增长

习近平总书记在2021315日的中央财经委员会第九次会议上强调,实现碳达峰、碳中和是一场广泛而深刻的经济社会系统性变革。能源供给的多样化与否直接涉及国家安危。碳达峰、碳中和战略将我国能源体系从传统上较弱的资源属性转变成了较强的制造属性。我国功率半导体产业势必伴随着能源系统和动力系统在中国碳达峰、碳中和双碳战略目标导向下发生深刻而长远的历史性变革和国产化机遇。传统的能源系统和动力系统将从碳基时代迈向硅基时代,从而在能源生产侧实现清洁替代,在能源消费侧实现电能替代。以电为中心,以电力系统为平台,以清洁化、电气化、数字化、标准化为方向,构建清洁低碳、安全高效的能源体系,这将会直接推进社会格局的重塑再构和人类文明的跨代演进。

功率半导体广泛应用于光伏、风能、储能、新能源汽车等新能源领域。根据国际能源署(IEA)预测,可再生能源将在2025年取代煤电近50年的统治地位,成为世界最主要的发电方式,可再生能源将供应世界近三分之一的电力,全球光伏和风能在总发电量中的占比将从目前的7%提升至2040年的24%,太阳能将在2040年生产相当于201913倍的电力。此外,储能装置和新能源汽车产销量也将保持快速增长。因此,受全球新能源市场蓬勃发展推动,功率半导体作为电子装置电能转换与电路控制的核心器件,其市场也将迎来长期快速增长。

2)功率半导体进口替代市场需求强烈

根据IHS统计数据,2019年全球功率半导体市场规模达403亿美元,其中中国功率半导体市场占据全球35%以上的份额,为全球最大市场,但国产化率仍处于相对较低水平,尤其是中高端产品领域进口替代有着非常广阔的市场空间。中国大陆功率半导体产业整体起步较晚,经过国家多年的政策扶持和国产厂商努力,国产功率半导体企业发展已取得了长足进步,但与国外品牌企业相比仍存在较大差距,国产功率半导体市场尚未形成稳定的竞争格局。伴随功率半导体国产化进一步推进,中国市场有望涌现一批世界级的功率半导体企业。

3)公司功率半导体订单远超目前产能负荷

MOS场效应二极管(MosFieldEffectRectifierMFER)系公司控股子公司广微集成的核心产品,具体涵盖100多种规格型号。MOS场效应二极管是一种新型的肖特基势垒二极管,相比于平面肖特基二极管来说,其MOS沟槽结构很好地抑制了肖特基表面势垒降低效应,使得其具有较高的击穿电压。在45-300V电压级别应用领域,沟槽型肖特基二极管相对于平面肖特基二极管具有很大的竞争优势,主要体现在其较低的导通压降,低的漏电流和好的高温特性,产品主要面向市场高端领域。自2019年第四季度开始,广微集成核心产品MOS场效应二极管产销量开始稳步上升。随着产品系列的不断丰富和客户认可度的不断提高,MOS场效应二极管的晶圆(6英寸)销量从2019年初1000/月提升至目前约8000/月。根据在手订单情况,广微集成已通过设备合作与上游晶圆加工厂协商扩增产能,预计2021年第三季度6英寸晶圆产能扩增至15000/月,但仍远不能满足现有及潜在客户的订单需求,公司亟需通过协同上游晶圆代工厂进一步扩大晶圆代工产能,以持续满足客户订单需求。

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